SK Hynix在HBM的地位毋庸置疑，但最近三星和美光也来势汹汹。但韩国巨头也不轻易让位。

根据韩国媒体Money Today 报导表示，SK 海力士与第三方封装测试厂商(OSAT) 大厂Amkor 进行了硅中介层合作的协商。预计SK 海力士将向Amkor 一并供应HBM 记忆体和2.5D 封装用硅中介层，再由Amkor 则负责利用硅中介层完成客户逻辑芯片与SK 海力士HBM 记忆体的整合。

报导指出，针对这项SK 海力士与Amkor 的合作，SK 海力士官方人士表示，虽然协商目前仍处于早期阶段，但双方正在进行各种谈办协商，以提供仲介层来满足客户的需求，如此也进一步强化SK 海力士在HBM 方面的优势。

报导表示，硅中介层是性能优秀的HBM 记忆体整合仲介材料，被视为2.5D 封装的核心。目前，全球市场上仅有四家企业，包括台积电、三星电子、英特尔、联电等拥有制造生产硅中介层的能力，而前三家公司也因此成为了专业先进封装的领导者。

因为基于上诉的市场状况，SK 海力士如果能达到硅中介层量产的目标，就代表着其能提供HBM + 硅中介层的解决方案供应，有机会可进一步提升SK 海力士向英伟达等客户交付HBM 的能力。此外，三星电子计画透过逻辑代工+ HBM 记忆体+ 先进封装的全流程一条龙式服务提供，进一步与SK 海力士争夺HBM 订单的情况下，SK 海力士拓展自身产品链的做法，未来预计也有助于减少三星电子对HBM 业务的冲击。

台积电、SK海力士和英伟达组“三角联盟”聚焦HBM4

台积电、SK海力士和英伟达将组成“三角联盟”，并在会上宣布一项联合计划，综合媒体报导，三方的合作内容，是会透过高频宽记忆体HBM4等下一代技术抢占人工智能市场。

据媒体wccftech说，在这次的SEMICON，包括：英伟达首席执行长黄仁勋、SK 海力士总裁Kim Joo-sun等人都会出席，且将聚焦下一代HBM技术上的合作，特别是革命性的HBM4记忆体。

报导说，目前不确定SK海力士将如何实施HBM4记忆体，但与台积电和英伟达合作已经相当明朗化。SK海力士与台积电将合作开发尖端HBM4记忆体，英伟达则提供产品设计。

报导说，SK海力士是最早实施“多功能HBM”的公司之一，他们先前透露，计划将记忆体和逻辑半导体整合到单一封装中，这意味着不需要封装技术，并且这将被证明具有更高的性能效率。

三星传以4 纳米量产HBM4，对抗SK 海力士、台积电联盟

市场谣传，三星电子（Samsung Electronics Co.）准备以先进4 纳米制程量产次世代高频宽记忆体「HBM4」。

《韩国经济日报》15日引述未具名消息人士报导，三星准备运用4纳米制程，量产第六代HBM4的逻辑晶粒（logic die）。逻辑晶粒位于晶粒堆叠的最底层，为HBM的核心元件。

记忆体制造商已能为HBM3E等现有产品制造逻辑晶粒，但第六代模型具备客户要求的客制化功能，需要额外导入晶圆工序。

4纳米是三星主打制程，良率超过70%。三星也运用这项制程生产旗舰AI智能手机「Galaxy S24」的Exynos 2400处理器。

业界人士指出，「4纳米虽比7纳米、8纳米贵很多，但芯片效能与功耗（power consumption）也优秀很多。」「目前以10纳米制程生产HBM3E的三星，计划用4纳米夺得HBM领导地位」。

SK海力士（SK Hynix）4月宣布与台积电合作。SK海力士4月19日声明稿表示，依据双方台北敲定的备忘录，将合作开发第六代HBM4芯片，2026年量产。