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AT91SAM9G35-CU
EP4CE115F23I7N
系列
BIMOSFET™
零件状态
*
IGBT 类型
-
配置
全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
3000V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
34A
功率 - 最大值
150W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
3.2V @ 15V，20A
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
表面贴装
封装/外壳
24-SMD 模块（9 引线）
供应商器件封装
SMPD
标准包装
20
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