系列 | - |
包装 | 剪切带（CT） |
零件状态 | 有效 |
FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
漏源极电压（Vdss） | 100V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 170mA（Ta） |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 18 欧姆 @ 80mA，10V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 0.9nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 14pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 600mW |
工作温度 | 150°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供应商器件封装 | 3-CPH |
标准包装 | 1 |
其它名称 | ERT-D |
扫一扫,关注我们
