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系列 | 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™ |
包装 | 带卷（TR） |
零件状态 | 有效 |
FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压（Vdss） | 60V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 340mA |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 0.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 50pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 350mW |
工作温度 | 150°C（TJ） |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-666 |
标准包装 | 4,000 |
其它名称 |
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