系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 过期 |
FET 类型 | P 沟道 |
电压 - 击穿（V（BR）GSS） | 20V |
漏源极电压（Vdss） | - |
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） | 300µA @ 10V |
漏极电流（Id） - 最大值 | - |
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 8V @ 10µA |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 32pF @ 10V |
电阻 - RDS（开） | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大值 | 350mW |
标准包装 | 2,000 |
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